氮化鎵
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首發(fā) | 晶通半導體(JTM)完成數千萬元天使+輪融資,富華資本投資
晶通半導體在提升電子電子器件最基礎核心的品質因子方面,起到了重要的作用。該團隊所獨創(chuàng)的高壓多溝道氮化鎵技術,曾被MIT Technology Review報道稱作是“推動氮化鎵的性能朝著其極限發(fā)展”。...氮矽科技完成A輪融資,魅族聯(lián)合創(chuàng)始人白永祥領投
本輪資金將主要用于產品研發(fā)以及產品銷售等方面,繼續(xù)加大研發(fā)投入以及拓寬應用市場,確保在2023年實現工業(yè)應用領域的突破,爭取在2024年實現汽車應用領域的突破。路子越走越寬的GaN
即便氮化鎵未來前景廣闊,但現階段成本較高、電池安全性等難題仍然存在,但在眾多廠商的努力研發(fā)下,期待它未來路子越走越寬。Anker發(fā)布7款旗艦新品,4大技術革新重新定義氮化鎵
7月26日,Anker安克召開2022旗艦新品發(fā)布會,聯(lián)合5家全球領先的芯片廠商,公布了4項最新的充電技術并發(fā)布7款年度旗艦新品。「英諾賽科」完成近30億元D輪融資,鈦信資本領投
英諾賽科于2015年成立,是第三代半導體硅基氮化鎵領域全球龍頭,也是全球唯一實現同時量產氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業(yè)。熱度不減的氮化鎵
2019年,氮化鎵作為第三代半導體的主要材料之一首次進入主流消費應用,并在2020年因小米氮化鎵充電器而引發(fā)關注。「Porotech」獲得300萬英鎊種子輪融資
Porotech最初創(chuàng)辦于劍橋大學材料科學與冶金院系氮化鎵中心,團隊基于在氮化鎵領域的研究積累,率先開發(fā)出可工業(yè)化量產的新型多孔氮化鎵半導體材料,現階段主要應用于MicroLED領域,未來結合Poro...